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Dr. A. Danilewsky

 

Zu jedem Themenbereich sind nach Absprache verschiedene Arbeiten mit unterschiedlichen Schwerpunkten möglich!

 

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"Lösungszüchtung von Triglycin-Sulfat (TGS) für die Sensortechnik"

(zusammen mit der Mikrosystemtechnik, Technische Fakultät)
Betreuer: Dr. A. Danilewsky

Beginn: ab sofort


"Untersuchungen zum Phasensystem Ge – Sn für Thermoelektrik und Optoelektronik"

Betreuer: Dr. A. Danilewsky

Beginn: ab sofort


 

"Zonenzüchtung im Mischkristallsystem GexSi1-x mit speziellen Vorratskristallen für Thermoelektrik"

(zusammen mit der Anorganischen Chemie)
Betreuer: Dr. A. Danilewsky

Beginn: ab sofort


 

"Real-Time Untersuchungen zum Bruch von Silizium-Kristallen"

Betreuer: Dr. A. Danilewsky

Beginn: ab sofort


 

"High Resolution X-ray Diffractometry on Ge - Si mixed crystals"

Betreuer: Dr. A. Danilewsky
Beginn: ab sofort
Details: Due to segregation mixed crystals in the Ge - Si system tend to be very inhomogeneous. Spatially resolved tructural studies on Ge - Si crystals of various concentration are planned to improve the crystal growth procedure, the homogeneity and the structural quality. From rocking curves and reciprocal spacemaps high precision lattice parameters as well as local strain and tilts will be analyzed quantitatively. Combined with X-ray topography, EBSD and EDX at the SEM the origin of samll angle grain boundaries and twinning will be analysed.


 

"Spaltbarkeit und Bruch von Kristallen"

Betreuer: Dr. A. Danilewsky
Beginn: ab sofort 

Inhalt: Hochgeschwindigkeits in-situ Experimente an Silizium und anderen Materialien zur Bestimmung kritischer Parameter für Waferbruch. Möglichkeit zur Teilnahme an Synchrotron-Topographie Experimenten 2016 am ESRF, Grenoble. Weitergehende Untersuchung der Proben mit Rasterelektronen- und Licht- oder IR-Mikroskopie.


"Hochtemperatur-Experimente an Siliziumkarbid, SiC"

Betreuer: Dr. A. Danilewsky
Beginn: ab sofort

Inhalt: SiC ist ein wichtiger Werkstoff in der Halbleiterindustrie. Der Schmelzpunkt liegt über 2500 °C, so dass die Züchtung von Einkristallen nicht einfach ist. Viele Defekte (Versetzungen, Stapelfehler) bilden sich aufgrund hoher Temperaturgradienten. Im Rahmen der BSc-Arbeit soll ein Spiegelofen optimiert werden, in dem SiC - Scheiben auf ca. 2000 °C erhitzt und ver-schiedene Temperaturgradienten angelegt werden können. Erste Experimente zur Defektentstehung sind geplant, die Defektcharaktersierung erfolgt mit Licht- und Rasterelektronenmikroskopie und eventuell mit Röntgendiffraktometrie. Im Rahmen einer MSc-Arbeit besteht 2016 die Möglichkeit der Teilnahme an in-situ Experimenten am Synchrotron DIAMOND, England oder ANKA, Karlsruhe


 

"Phasenumwandlungen unter hohen Drucken"

Betreuer: Dr. A. Danilewsky
Beginn: ab sofort

Inhalt: In-situ Experimente Untersuchung von Hochdruckmodifikationen in Silizium oder Quarz unter dynamischen Bedingungen miitels Röntgen-Pulverdiffraktometrie oder RAMAN oder IR- Spektroskopie. Möglichkeit zu Teilnahme an Synchrotron-Topographie Experimenten am DESY, Hamburg (Termine noch nicht klar).



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