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Publications 2014 & older

 

 

Original paper in scientific journals:


 

  • Banai R. E., Burton L. A., Choi S. G., Hofherr F., Sorgenfrei T., Walsh A., Cröll A.: Ellipsometric characterisation and density-functional theory analysis of anisotropic optical properties of single-crystal α-SnS J Appl Phys, 2014; 116 (1): 013511. (download: http://dx.doi.org/10.1063/1.4886915)
  • Carl E.-R., Danilewsky A. N., Meissner E., Geiger T.: Large- and small-angle grain boundaries in multi-crystalline silicon and implications for the evolution of grain boundaries during crystal growth J Appl Crystallogr, 2014; 47 (6): 1958-1965. (download: http://dx.doi.org/10.1107/S1600576714023061)
  • Schultz, P., Keller E.: Strong Positive and Negative Deviations from Vegard’s Rule: X-Ray Powder Investigations of the three Quasi-Binary Phase Systems BiSX1-xYx (X,Y = Cl, Br, I) Acta Crystallogr B, 2014; 70: 372-378. (in Druck)
  • Sintonen S., Rudzinski M., Suihkonen S., Jussila H., Knetzger M., Meissner E., Danilewsky A., Tuomi T., Lipsanen H.: Synchrotron radiation x-ray topography and defect selective etching analysis of threading dislocations in GaN J Appl Phys, 2014; 116 (8): 083504. : http://dx.doi.org/10.1063/1.4893901
  • Sintonen S., Suihkonen S., Jussila H., Danilewsky A., Stankiewicz R., Tuomi T., Lipsanen H.: Large-area analysis of dislocations in ammonothermal GaN by synchrotron radiation X-ray topography Appl Phys Express, 2014; 7 (9): 091003. : http://dx.doi.org/10.7567/APEX.7.091003
  • Wagner A.C., Cröll A., Gonik M. A., Hillebrecht H., Binetti S., LeDonne A.: Si1-xGex (x ≥ 0.2) crystal growth in the absence of a crucible J Cryst Growth, 2014: 762-766. (download: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.11.065)
  • Wong C. S., Bennett N. S., Manessis D., Danilewsky A., McNally P. J.: Non-Destructive Laboratory-Based X-Ray Diffraction Mapping of Warpage in Si Dies Embedded in IC Packages Microelectron Eng, 2014; 117: 48-56.

 

Older papers can be found in our Research Data Base.

 

Conference contributions:


 

  • Alexeev P., Asadchikow V., Bessas D., Butashin A. V., Buzmakov A. V., Cecilia A., Cuhumakov A., Danilewsky A. N., Deryabin A., Härtwig J., Hermann R., Jafari A., Muslimov A. E., Prokhorov I. A., Roschin B. S., Sergueev I., Stankov S., Wille H.: Sapphire for high-resolution X-ray optics: detailed microstructure Abstracts, 2014: 69 (12th Biennal Conf. on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2014, Villards de Lans, France, Sept. 14th - 19th 2014).
  • Azizi M., Reimann C., Cröll A., Friedrich J.: ParSiWal, one small step for improving photovoltaics – TEXUS, one giant leap for basic research in crystal growth 2014 (DLR/Astrium colloquium “TEXUS 50: 35 years in microgravity”, March 6-7, Speyer, Germany,).
  • Binetti S., Gonik M., LeDonne A., Cröll A.: Silicon sample for PV application grown under reduced melt convection 2014 (E-MRS 2014 Spring meeting, Symposium V - Effect of natural and forced convection in materials crystallization, Lille, France, May 26-30). (in Druck)
  • Carl E.-R., Danilewsky A., Trullenque G., Kenkmann T., Liermann H. P.: The Behaviour of SiO2 under Dynamic Loading and Unloading Z Kristallogr, 2014 Suppl. 34: 18 (22. Jahrestagung der Deutschen Gesellschaft für Kristallographie, DGK, Berlin, 17. - 20.03.2014).
  • Danilewsky A., Wittge J., Allen D., Stopford J., McNally P., Baumbach T.: Progress in white beam diffraction imaging New J Phys, 2014; 4: 309 (DPG-Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM), Dresden, 30.03.-04.04.2014).
  • Danilewsky A. N., Kiefl K.: In-situ study of dislocations in GaAs by X-ray diffraction imaging Abstracts, 2014: 21 (12th Biennal Conf. on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2014, Villards de Lans, France, Sept. 14th - 19th 2014).
  • Gonik M., Cröll A., Wagner A.: Segregation control in crystal growth of SiGe alloys from a thin melt layer 2014 (6th Int. Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-6), June 15-19, Berlin). (in Druck)
  • Gonik M., Cröll A., Wagner A.: Distribution of Ge in an Si0.9Ge0.1 alloy ingot during crystal growth from a thin melt layer 2014 (SILICON-2014, Irkutsk, Russia, July 7-12). (in Druck)
  • Hess A., Cröll A., Herr B., Stenzel Ch.: Der Einfluß solutokapillarer Konvektion auf die Germanium-Silizium Züchtung mit freien Schmelzoberflächen Abstracts, 2014: 75 (Deutsche Kristallzüchtungstagung 2014, Halle (Saale) 12. - 14. März).
  • Hess A., Sorgenfrei T., Zähringer J., Cröll A., Senchenkov A.(NIISK, Moskau, Egorov A.(NIISK, Moskau), Sickinger P.(OHB, München, Stenzel Ch. (Airbus Defence & Space): KUBUS - Konvektion und Benetzung in der Halbleiterkristallzüchtung unter Schwerelosigkeit 2014 (FESTKOLLOQUIUM zum 50jährigen Bestehen der Kristallographie in Freiburg i.Br., Datum: 31. Oktober - 1. November 2014).
  • Hofherr F.: Bridgman Stockbarger growth and characterisation of tin (II) sulfide Z Kristallogr, 2014 Suppl. 34: 27 (22. Jahrestagung der Deutschen Gesellschaft für Kristallographie, DGK, Berlin, 17. - 20.03.2014).
  • Hofherr F., Jauß T., Danilewsky A., Sorgenfrei T, Cröll A.: SnS: An alternative absorber material for photovoltaic applications 2014 (Deutsche Gesellschaft für Kristallographie, DGK, Workshop Materialwissenschaftliche Kristallographie, Bad Schandau, 29.9.- 01.10.2014).
  • Hofherr F., Weit S., Reichert V., Herzner J., Sorgenfrei T: Bismut(III)-sulfid: Synthese, Züchtung und Charakterisierung Abstracts, 2014: 85 (Deutsche Kristallzüchtungstagung 2014, Halle (Saale) 12. - 14. März).
  • Jafari A., Cecilia, A., Härtwig, J., Danilewsky A., Bessas, D., Asadchikov V., Roschin B., Zolotov D., Deryabin A., Seergev I., Stankov S., Baumbach T., Alexeev P., Wille H.-Ch., Hermann R.: White beam synchrotron x-ray topography of sapphire single crystals New J Phys, 2014 Suppl. 49,4: 311 (DPG-Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM), Dresden, 30.03.-04.04.2014).
  • Jauß T., Sorgenfrei T., Cröll A., Azizi M., Reimann C., Friedrich J., Volz M.: Behaviour of Particle Depots in Molten Slilicon during Floate-Zone Growth in Sstrong Magnetic Fields Abstracts, 2014: 73 (Deutsche Kristallzüchtungstagung 2014, Halle (Saale) 12. - 14. März).
  • Oriwol D., Danilewsky A. N., Sylla L., Seifert W., Kittler M., Leipner S.: Quantifizierung und elektrische Evaluierung von Versetzungsstrukturen in multikristallinem Silicium  Abstracts, 2014: 65 (Deutsche Kristallzüchtungstagung 2014, Halle (Saale) 12. - 14. März).
  • Scheel M., Rack A., Danilewsky A. N.: Fracture dynamics in Si wafers revealed by realtime synchrotron-based Laue topography Abstracts, 2014: 58 (12th Biennal Conf. on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2014, Villards de Lans, France, Sept. 14th - 19th 2014).
  • Tanner, B., Garagorri, J., Wittge J., Danilewsky A. N., Allen D., McNally P., Gorostegui E., Elizalde M. R.: X-ray asterism and structure of cracks from indentation in silicon Abstracts, 2014: 60 (12th Biennal Conf. on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2014, Villards de Lans, France, Sept. 14th - 19th 2014).
  • Wong C.S., Ivankovic A., Cowley A., Benett N., Danilewsky A. N., Gonzalez M., Cherman V., Vandevelde B., De Wolf I., McNally P. J.: Development of B-spline x-ray diffraction imaging techniques for die warpage and stress monitoring inside fully encapsulated packaged chips Abstracts, 2014 (IEEE Electronic Components and Technology Conference, ECTC 64, 2014, Lake Buena Vista, FL USA, May 27-30).
  • Zähringer J., Hess A., Tonn J., Sorgenfrei T., Cröll A.: Angewandte Simulation an der Kristallographie Freiburg 2014 (FESTKOLLOQUIUM zum 50jährigen Bestehen der Kristallographie in Freiburg i.Br., Datum: 31. Oktober - 1. November 2014).

 

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